磁控溅射沉积制备Al掺杂ZnO薄膜的棒状晶粒生长
来源期刊：材料导报2019年第S1期
论文作者：赵笑昆 李博研 张增光
文章页码：112 - 115
关键词：Al掺杂ZnO;射频磁控溅射;压强;晶粒生长;
摘 要：Al掺杂ZnO （AZO）薄膜由于电导率高、光学透过率高、原料储量丰富、成本低廉而成为最具潜力的透明导电薄膜。本实验采用射频磁控溅射法沉积制备了30 cm×30 cm的AZO薄膜,研究了溅射压强对晶体结构、微观结构、电学和光学性能的影响,实现微观结构和性能的调节。结果表明,溅射压强增大,薄膜沉积速率降低,晶体c轴择优取向生长变弱,晶粒尺寸变大且存在长度大于100 nm的棒状晶粒。0.933 Pa时薄膜电阻率降至最低(1.01×10-3Ω·cm),可见光透过率为79.7%,禁带宽度Eg=3.82 eV,有利于透明导电膜的应用。
赵笑昆，李博研，张增光
摘 要：Al掺杂ZnO （AZO）薄膜由于电导率高、光学透过率高、原料储量丰富、成本低廉而成为最具潜力的透明导电薄膜。本实验采用射频磁控溅射法沉积制备了30 cm×30 cm的AZO薄膜,研究了溅射压强对晶体结构、微观结构、电学和光学性能的影响,实现微观结构和性能的调节。结果表明,溅射压强增大,薄膜沉积速率降低,晶体c轴择优取向生长变弱,晶粒尺寸变大且存在长度大于100 nm的棒状晶粒。0.933 Pa时薄膜电阻率降至最低(1.01×10-3Ω·cm),可见光透过率为79.7%,禁带宽度Eg=3.82 eV,有利于透明导电膜的应用。
关键词：Al掺杂ZnO;射频磁控溅射;压强;晶粒生长;
