InP量子点的掺杂及其光学性能
来源期刊：无机材料学报2016年第10期
论文作者：杨锁龙 王晓方 蒋春丽 赵雅文 曾荣光 王怀胜 赖新春
文章页码：1051 - 1057
关键词：磷化铟;量子点;掺杂;光学性能;
摘 要：采用原位成核掺杂法合成了Li、Zn金属离子掺杂的InP量子点（分别记为Li:InP和Zn:InP）,并研究了掺杂剂对量子点的结构、尺寸和光学性能的影响。研究结果表明,Li+、Zn2+掺杂的InP量子点结晶度较高且尺寸均匀。虽然Li+掺杂未引起InP量子点的结构发生变化,Li+未进入InP晶格,但是抑制了InP量子点的成核与长大,使其吸收谱和荧光谱均发生大幅度的蓝移。Zn掺杂同样也抑制InP量子点的成核与长大,并且形成InP/Zn3P2/ZnO复合核壳结构,显著增强了InP量子点的荧光,尤其是当Zn掺杂浓度（Zn/In原子比）为0.2时,InP量子点的荧光强度增加近100多倍,这对短波长InP量子点的合成具有一定的参考价值。
杨锁龙，王晓方，蒋春丽，赵雅文，曾荣光，王怀胜，赖新春
表面物理与化学重点实验室
摘 要：采用原位成核掺杂法合成了Li、Zn金属离子掺杂的InP量子点（分别记为Li:InP和Zn:InP）,并研究了掺杂剂对量子点的结构、尺寸和光学性能的影响。研究结果表明,Li+、Zn2+掺杂的InP量子点结晶度较高且尺寸均匀。虽然Li+掺杂未引起InP量子点的结构发生变化,Li+未进入InP晶格,但是抑制了InP量子点的成核与长大,使其吸收谱和荧光谱均发生大幅度的蓝移。Zn掺杂同样也抑制InP量子点的成核与长大,并且形成InP/Zn3P2/ZnO复合核壳结构,显著增强了InP量子点的荧光,尤其是当Zn掺杂浓度（Zn/In原子比）为0.2时,InP量子点的荧光强度增加近100多倍,这对短波长InP量子点的合成具有一定的参考价值。
关键词：磷化铟;量子点;掺杂;光学性能;
