Si₃N₄/FePd/Si₃N₄薄膜的晶体结构和磁性能研究

周鑫¹，马垒^1,2，刘涛¹，郭永斌¹，王岛¹，董培林¹

1. 桂林电子科技大学材料科学与工程学院2. 桂林电子科技大学广西信息材料重点实验室

摘 要：采用磁控溅射的方法制备了Si₃N₄/FePd/Si₃N₄三层膜,研究了非磁性材料Si₃N₄作为插入层对磁记录FePd薄膜结构与磁性能的影响。结果表明,热处理后Si₃N₄分布在FePd纳米颗粒之间,抑制了FePd晶粒的生长,与纯FePd薄膜相比,Si₃N₄/FePd/Si₃N₄薄膜的颗粒明显得到细化;通过添加Si₃N₄层,FePd薄膜的晶体学参数c/a从0.960减小到0.946,表明Si₃N₄可以有效促进FePd薄膜的有序化进程,同时提升了矫顽力和剩磁比,分别提高到249 k A/m、0.86;随着600℃退火时间的进一步延长,添加Si₃N₄的薄膜磁性没有迅速下降,在较宽的热处理时间范围内磁性能保持在比较高的水平,提高了抗热影响的能力。Si₃N₄作为插入层对FePd薄膜的磁性能具有较大的提升作用,这对磁记录薄膜的发展具有重要意义。

关键词：Si3N4/FePd/Si3N4;FePd薄膜;晶体结构;磁性能;