直拉单晶硅中的氧和碳
来源期刊：中国有色冶金1983年第9期
论文作者：H.Ming Liaw 张重敏
文章页码：37 - 84
摘 要：本文从三个方面论述硅中的氧和碳:(1)氧和碳的引入及其浓度;(2)对形成晶体缺陷所起的作用和对集成电路的影响;(3)关于工业方面解决氧和碳问题的趋势。
H.Ming Liaw，张重敏
关键词：
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