改进sol-gel技术BST薄膜的制备及性能研究
来源期刊：功能材料2004年第3期
论文作者：刘少波 曾亦可 姜胜林 刘梅冬
关键词：改进sol-gel方法; BST薄膜; 电性能;
摘 要：为了制备高性能BST薄膜,采用改进的溶胶-凝胶(solge1)方法在Pt/Ti/SiO2/Si基片上制备出了不同结构、不同组成的BST薄膜;研究了BST薄膜的微观结构及其介电、铁电性能.XRD分析表明,当热处理温度为750℃时,得到完整钙钛矿结构的薄膜材料.SEM电镜显示,含种子层的Ⅱ、Ⅲ、Ⅳ3种不同类型的BST薄膜的结晶状况有很大改善.得到的BST20薄膜的介电峰温区覆盖常温段,介电常数为405,介电损耗为0.011,剩余极化强度为Pr=2.3μC·cm-2,矫顽场为Ec=45kV/cm.
刘少波1，曾亦可2，姜胜林2，刘梅冬2
(1.中国科学院电工研究所,北京,100080;
2.华中科技大学,电子科学与技术系,湖北,武汉,430074)
摘要:为了制备高性能BST薄膜,采用改进的溶胶-凝胶(solge1)方法在Pt/Ti/SiO2/Si基片上制备出了不同结构、不同组成的BST薄膜;研究了BST薄膜的微观结构及其介电、铁电性能.XRD分析表明,当热处理温度为750℃时,得到完整钙钛矿结构的薄膜材料.SEM电镜显示,含种子层的Ⅱ、Ⅲ、Ⅳ3种不同类型的BST薄膜的结晶状况有很大改善.得到的BST20薄膜的介电峰温区覆盖常温段,介电常数为405,介电损耗为0.011,剩余极化强度为Pr=2.3μC·cm-2,矫顽场为Ec=45kV/cm.
关键词:改进sol-gel方法; BST薄膜; 电性能;
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