单元素半导体量子点制备及其光致发光性能的研究进展
来源期刊：材料导报2004年增刊第1期
论文作者：鲁颖炜 刘俊朋 杜希文 孙景
关键词：单元素半导体; 量子点; 制备方法; 光致发光;
摘 要：单元素半导体量子点的制备成功使光电集成成为可能.介绍了单元素半导体量子点的制备方法,包括射频磁控溅射技术、硅离子注入技术、化学气相沉积法、溶胶-凝胶法等;并且介绍了单元素半导体量子点的发光机理模型,包括量子限制效应模型、与氧有关的缺陷发光、量子限制效应-发光中心复合发光和界面层中的激子效应发光等;另外对单元素半导体量子点的发展前景进行了展望.
鲁颖炜1，刘俊朋1，杜希文1，孙景1
(1.天津大学材料学院,天津,300072)
摘要:单元素半导体量子点的制备成功使光电集成成为可能.介绍了单元素半导体量子点的制备方法,包括射频磁控溅射技术、硅离子注入技术、化学气相沉积法、溶胶-凝胶法等;并且介绍了单元素半导体量子点的发光机理模型,包括量子限制效应模型、与氧有关的缺陷发光、量子限制效应-发光中心复合发光和界面层中的激子效应发光等;另外对单元素半导体量子点的发展前景进行了展望.
关键词:单元素半导体; 量子点; 制备方法; 光致发光;
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