VSe₂薄膜的光电性质及背接触特性的研究

来源期刊：无机材料学报2013年第3期

论文作者：杨镓溢 高静静 王文武 曾广根 李卫 冯良桓 张静全 武丽丽 黎兵

文章页码：312 - 316

关键词：背接触;VSe2薄膜;CdTe薄膜太阳电池;

摘    要：采用电子束蒸发法制备VSe2薄膜并进行退火处理,通过XRD、SEM、透过谱、Hall效应、电导率–温度关系等表征了薄膜的结构、形貌、光学和电学性质,用半导体特性测试仪研究了VSe2薄膜的背接触特性。结果表明:VSe2薄膜在一定的退火温度下结晶并呈稳定的六方相,VSe2薄膜为p型直接禁带跃迁材料,光能隙约2.35 eV。将VSe2作为背接触层应用于CdTe多晶薄膜太阳电池,消除了roll-over现象,有效提高了器件性能。