温度、惰性填料对先驱体硅树脂高温连接 Cf/SiC陶瓷基复合材料的影响
来源期刊：稀有金属材料与工程2005年增刊第1期
论文作者：郑文伟 陈朝辉 所俊 韩卫敏
关键词：先驱体; 硅树脂; 连接; 惰性填料; 剪切强度;
摘 要：对先驱体硅树脂高温(800℃～1 400℃)转化陶瓷结合层连接石墨、陶瓷SiC及Cf/SiC复合材料进行了研究,着重对硅树脂固化裂解过程、裂解温度及惰性填料对连接性能的影响进行了探讨.结果表明,硅树脂的交联固化主要是通过消耗Si-OH来完成.对于石墨、SiC的连接,1200℃是较佳的处理温度,而对于Cf/SiC则最佳的处理温度为1 400℃.加入5%惰性填料SiC可以提高硅树脂对Cf/SiC复合材料的连接性能.
郑文伟1，陈朝辉1，所俊1，韩卫敏1
(1.国防科技大学CFC国防科技重点实验室,湖南,长沙,410073)
摘要:对先驱体硅树脂高温(800℃～1 400℃)转化陶瓷结合层连接石墨、陶瓷SiC及Cf/SiC复合材料进行了研究,着重对硅树脂固化裂解过程、裂解温度及惰性填料对连接性能的影响进行了探讨.结果表明,硅树脂的交联固化主要是通过消耗Si-OH来完成.对于石墨、SiC的连接,1200℃是较佳的处理温度,而对于Cf/SiC则最佳的处理温度为1 400℃.加入5%惰性填料SiC可以提高硅树脂对Cf/SiC复合材料的连接性能.
关键词:先驱体; 硅树脂; 连接; 惰性填料; 剪切强度;
【全文内容正在添加中】
