Pb掺杂对Bi-Ca钴酸盐热电材料电子结构的影响研究

来源期刊：材料导报2014年第16期

论文作者：邢学玲 罗树琼 吴玉敏 杨雷

文章页码：143 - 146

关键词：失配层结构;电子结构;化学键;热电性能;

摘    要：采用密度泛函离散变分方法计算了Pb掺杂Bi位对[Bi1.68Ca2O4]RS[CoO2]1.69的电子结构和化学键的影响,并讨论了它们与热电性能之间的关系。计算结果表明,掺Pb体系的电子结构表现出半导体特征,与未掺杂的相比,能隙变窄;掺Pb后,在-4.5¹.8eV的能量范围内,高能态Co 3d与低能态O 2p存在着杂化作用,Pb 6p在费米能级附近的贡献增强。通过计算键级和分子波函数轨道可知,体系的计算键级在ab面和c轴方向表现出各向异性特征,掺Pb后,Co-O、Pb（Bi）-O均比未掺杂体系减弱,而Bi（Pb）-Bi的键性增强。由此推断,掺Pb体系的热电性能将有所改善。