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Cd在Cd0.9Zn0.1Te晶体中的有效扩散系数与扩散激活能

来源期刊:稀有金属材料与工程2006年第10期

论文作者:刘洪涛 闵嘉华 李万万 曹泽淳 詹峰 张斌 桑文斌

关键词:Cd0.9Zn0.1Te(CZT); 有效扩散系数DCd; 扩散激活能QCd; 数值拟合;

摘    要:为了计算Cd在Cd0.9Zn0.1Te(CZT)晶体中的有效扩散系数DCd与扩散激活能QCd,利用Cd在CZT晶体中的扩散特性,设计了在不同Cd压下对CZT的退火实验,推导出了晶体电阻率与Cd有效扩散系数之间的函数关系,经过计算,首次获得了在1073 K,973 K和873 K温度时Cd原子在CZT晶体中的有效扩散系数DCd,分别为1.464×10-10cm2/s,1.085×10-11cm2/s和4.167×10-13cm2/s.将扩散数据经过拟合后得到了Cd原子在CZT晶片中有效扩散系数的表达式:2.33×exp(-2.38 eV/kT)(873 K~1073 K),其中扩散激活能QCd为2.38 eV.

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Cd在Cd0.9Zn0.1Te晶体中的有效扩散系数与扩散激活能

刘洪涛1,闵嘉华1,李万万1,曹泽淳1,詹峰1,张斌1,桑文斌1

(1.上海大学电子信息材料系,上海,200072)

摘要:为了计算Cd在Cd0.9Zn0.1Te(CZT)晶体中的有效扩散系数DCd与扩散激活能QCd,利用Cd在CZT晶体中的扩散特性,设计了在不同Cd压下对CZT的退火实验,推导出了晶体电阻率与Cd有效扩散系数之间的函数关系,经过计算,首次获得了在1073 K,973 K和873 K温度时Cd原子在CZT晶体中的有效扩散系数DCd,分别为1.464×10-10cm2/s,1.085×10-11cm2/s和4.167×10-13cm2/s.将扩散数据经过拟合后得到了Cd原子在CZT晶片中有效扩散系数的表达式:2.33×exp(-2.38 eV/kT)(873 K~1073 K),其中扩散激活能QCd为2.38 eV.

关键词:Cd0.9Zn0.1Te(CZT); 有效扩散系数DCd; 扩散激活能QCd; 数值拟合;

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