Eu2O3掺杂对压敏-电容双功能陶瓷材料CaCu3Ti4O12电性能的改善效果
来源期刊:材料导报2011年第22期
论文作者:王晓雪 李涛 陈镇平
文章页码:100 - 103
关键词:非线性系数;压敏电压;电介常数;肖特基势垒;
摘 要:以稀土氧化物Eu2O3为添加剂,采用固相反应法制备了不同掺杂比例(x=0、0.2%、0.5%、1%(质量分数))的CaCu3Ti4O12(CCTO)陶瓷样品。采用X射线衍射仪(XRD)和扫描电镜(SEM)对掺杂样品的微观形貌变化进行测量分析;利用一直流高压电源测试样品的J-E非线性特征;利用Anglent4294型精密阻抗分析仪测试样品的电介性能。掺杂后样品的晶格结构并未发生明显的改变,但是平均晶粒尺寸减小,晶界处富Cu相消失;纯CCTO的XRD图谱中出现了富Cu相,掺杂样品的图谱中并未出现上述杂相;Eu2O3掺杂提高了样品内部的肖特基势垒高度,增加了势垒阻挡层的数目,使得样品的压敏电压和非线性系数明显提高,材料的压敏电阻性明显改善,电介-频率稳定性增强。
王晓雪1,李涛2,陈镇平2
1. 河南理工大学学术出版中心2. 郑州轻工业学院技术物理系
摘 要:以稀土氧化物Eu2O3为添加剂,采用固相反应法制备了不同掺杂比例(x=0、0.2%、0.5%、1%(质量分数))的CaCu3Ti4O12(CCTO)陶瓷样品。采用X射线衍射仪(XRD)和扫描电镜(SEM)对掺杂样品的微观形貌变化进行测量分析;利用一直流高压电源测试样品的J-E非线性特征;利用Anglent4294型精密阻抗分析仪测试样品的电介性能。掺杂后样品的晶格结构并未发生明显的改变,但是平均晶粒尺寸减小,晶界处富Cu相消失;纯CCTO的XRD图谱中出现了富Cu相,掺杂样品的图谱中并未出现上述杂相;Eu2O3掺杂提高了样品内部的肖特基势垒高度,增加了势垒阻挡层的数目,使得样品的压敏电压和非线性系数明显提高,材料的压敏电阻性明显改善,电介-频率稳定性增强。
关键词:非线性系数;压敏电压;电介常数;肖特基势垒;