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低In电解液电沉积制备CuInSe2吸收层

来源期刊:功能材料2012年第S1期

论文作者:胡飞 陈镜昌 付梦乾 文思逸 胡跃辉

文章页码:94 - 196

关键词:线性电位扫描;铜铟硒(CIS)薄膜;分段电沉积;柠檬酸钠;

摘    要:通过线性电位扫描分析了低In电解液中的阴极电化学反应,结果表明柠檬酸钠可以降低Cu2+的活性,而H2SeO3的加入可导致阴极上Se元素与Cu2+和In3+发生复杂的协同反应。低In电解液中恒电位沉积的薄膜与CIS的化学计量比相差较大,分段电位的恒电位沉积得到的薄膜更接近于CuInSe2(CIS)化学计量比。薄膜在N2气氛上退火处理,得到了黄铜矿结构CIS薄膜,禁带宽度为1.06eV。

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低In电解液电沉积制备CuInSe2吸收层

胡飞1,陈镜昌2,付梦乾1,文思逸1,胡跃辉1

1. 景德镇陶瓷学院材料科学与工程学院江西省先进陶瓷材料重点实验室2. 香港理工大学工业系统工程学系

摘 要:通过线性电位扫描分析了低In电解液中的阴极电化学反应,结果表明柠檬酸钠可以降低Cu2+的活性,而H2SeO3的加入可导致阴极上Se元素与Cu2+和In3+发生复杂的协同反应。低In电解液中恒电位沉积的薄膜与CIS的化学计量比相差较大,分段电位的恒电位沉积得到的薄膜更接近于CuInSe2(CIS)化学计量比。薄膜在N2气氛上退火处理,得到了黄铜矿结构CIS薄膜,禁带宽度为1.06eV。

关键词:线性电位扫描;铜铟硒(CIS)薄膜;分段电沉积;柠檬酸钠;

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