五层纳米SiO2-Al2O3/聚酰亚胺复合薄膜的制备及性能
来源期刊:复合材料学报2018年第5期
论文作者:杨瑞宵 陈昊 王相文 赵伟 范勇
文章页码:1050 - 1058
关键词:复合薄膜;聚酰亚胺(PI);SiO2-Al2O3纳米粒子;多层结构;介电性能;耐电晕;
摘 要:采用浸胶法制备了一系列SiO2-Al2O3/聚酰亚胺(SiO2-Al2O3/PI)五层耐电晕薄膜AmAnPAnAm,其中中间层(P)为纯PI薄膜,外层(Am)、次外层(An)分别为SiO2-Al2O3掺杂不同质量分数的纳米SiO2-Al2O3/PI薄膜。采用TEM、FTIR、宽频介电谱仪、电导电流测试仪、耐电晕测试仪、介电强度测试仪和拉伸实验机对五层纳米复合PI耐电晕薄膜的微观结构、介电性能和力学性能进行了表征和测试。结果表明,SiO2-Al2O3/PI复合薄膜掺杂层形成了分布均匀的有机/无机复合结构;SiO2-Al2O3纳米粒子的保护作用是影响复合材料耐电晕性能的主要因素,复合薄膜A32A16PA16A32的耐电晕寿命最大,为23.4h;外层掺杂量对五层SiO2-Al2O3/PI复合材料的介电强度影响较大,复合薄膜A20A28PA28A20的介电强度最大,为302.3kV/mm;通过对五层复合结构的设计,可以在兼顾材料力学性能的同时,提高其耐电晕寿命和介电强度。
杨瑞宵1,陈昊2,王相文2,赵伟2,范勇2
1. 哈尔滨理工大学电气与电子工程学院2. 哈尔滨理工大学材料科学与工程学院
摘 要:采用浸胶法制备了一系列SiO2-Al2O3/聚酰亚胺(SiO2-Al2O3/PI)五层耐电晕薄膜AmAnPAnAm,其中中间层(P)为纯PI薄膜,外层(Am)、次外层(An)分别为SiO2-Al2O3掺杂不同质量分数的纳米SiO2-Al2O3/PI薄膜。采用TEM、FTIR、宽频介电谱仪、电导电流测试仪、耐电晕测试仪、介电强度测试仪和拉伸实验机对五层纳米复合PI耐电晕薄膜的微观结构、介电性能和力学性能进行了表征和测试。结果表明,SiO2-Al2O3/PI复合薄膜掺杂层形成了分布均匀的有机/无机复合结构;SiO2-Al2O3纳米粒子的保护作用是影响复合材料耐电晕性能的主要因素,复合薄膜A32A16PA16A32的耐电晕寿命最大,为23.4h;外层掺杂量对五层SiO2-Al2O3/PI复合材料的介电强度影响较大,复合薄膜A20A28PA28A20的介电强度最大,为302.3kV/mm;通过对五层复合结构的设计,可以在兼顾材料力学性能的同时,提高其耐电晕寿命和介电强度。
关键词:复合薄膜;聚酰亚胺(PI);SiO2-Al2O3纳米粒子;多层结构;介电性能;耐电晕;