重掺杂Bi:YIG溅射薄膜的磁和磁光性能
来源期刊：磁性材料及器件2007年第4期
论文作者：杨青慧 刘颖力 谢红辉
关键词：Bi:YIG薄膜; 结构; 磁性能; 磁光性能;
摘 要：用磁控溅射+快速退火晶化处理在YAG、Al2O3基片上制备了重掺杂Bi:YIG磁光薄膜,利用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、磁光克尔仪/光学分度计、振动样品磁强计(VSM)分别研究了薄膜的微结构、磁光性能和磁性能.薄膜的饱和磁化强度为135～139 kA/m,不同基片上制备的薄膜的矫顽力不同,薄膜的法拉第角在450～610nm的光波段范围内约为3～5°/μm;当退火温度在600℃时,在两种基片上制备的薄膜透射率谱非常相似,当退火温度为800℃时,在Al2O3基片上的薄膜透射率谱将出现一个台阶.
杨青慧1，刘颖力1，谢红辉2
(1.电子科技大学,电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川成都,610054;
2.东北电力大学,信息工程学院,吉林长春,132012)
摘要:用磁控溅射+快速退火晶化处理在YAG、Al2O3基片上制备了重掺杂Bi:YIG磁光薄膜,利用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、磁光克尔仪/光学分度计、振动样品磁强计(VSM)分别研究了薄膜的微结构、磁光性能和磁性能.薄膜的饱和磁化强度为135～139 kA/m,不同基片上制备的薄膜的矫顽力不同,薄膜的法拉第角在450～610nm的光波段范围内约为3～5°/μm;当退火温度在600℃时,在两种基片上制备的薄膜透射率谱非常相似,当退火温度为800℃时,在Al2O3基片上的薄膜透射率谱将出现一个台阶.
关键词:Bi:YIG薄膜; 结构; 磁性能; 磁光性能;
【全文内容正在添加中】
