原位合成SiC颗粒增强MoSi2基复合材料的900℃长期氧化行为
来源期刊：工程科学学报2019年第9期
论文作者：王超 段立辉 张来启
文章页码：1168 - 1175
关键词：复合材料;MoSi2;SiC颗粒增强体;原位合成;低温氧化行为;pest现象;
摘 要：研究了不同体积分数原位合成SiC颗粒增强MoSi2基复合材料在900℃空气中1000 h的长期氧化行为.复合材料氧化1000 h后,均未发生pest现象. 6种材料都表现出优异的氧化抗力,原位合成的复合材料的氧化抗力好于传统的通过热压商用MoSi2粉末和Si C粉末混合物制备的复合材料（外加复合材料）.复合材料氧化膜表层为连续致密的α-SiO2（α-石英）,下层为Mo5Si3,复合材料的氧化过程不仅是O2与MoSi2的作用,SiC也同时发生了氧化.材料900℃下发生硅的选择性氧化,正是这种硅的选择性氧化在MoSi2的表面自发形成一层致密的SiO2保护膜,使材料表现出优异的长期氧化抗力.
王超1，段立辉2，张来启2
1. 内蒙古科技大学材料与冶金学院2. 北京科技大学新金属材料国家重点实验室
摘 要：研究了不同体积分数原位合成SiC颗粒增强MoSi2基复合材料在900℃空气中1000 h的长期氧化行为.复合材料氧化1000 h后,均未发生pest现象. 6种材料都表现出优异的氧化抗力,原位合成的复合材料的氧化抗力好于传统的通过热压商用MoSi2粉末和Si C粉末混合物制备的复合材料（外加复合材料）.复合材料氧化膜表层为连续致密的α-SiO2（α-石英）,下层为Mo5Si3,复合材料的氧化过程不仅是O2与MoSi2的作用,SiC也同时发生了氧化.材料900℃下发生硅的选择性氧化,正是这种硅的选择性氧化在MoSi2的表面自发形成一层致密的SiO2保护膜,使材料表现出优异的长期氧化抗力.
关键词：复合材料;MoSi2;SiC颗粒增强体;原位合成;低温氧化行为;pest现象;
