分子印迹纳米荧光探针检测莠去津
来源期刊：分析试验室2016年第5期
论文作者：雷鹏程 钟李平 李鑫浩 傅孟晗 陈立钢
文章页码：576 - 580
关键词：分子印迹;量子点;荧光猝灭;莠去津;
摘 要：以莠去津为模板分子,合成了一种分子印迹荧光纳米材料,并通过荧光分光光度计（MF）、傅里叶红外变换光谱（FT-IR）、高分辨透射电子显微镜（HRTEM）对该材料进行表征。应用其对莠去津进行检测,考察荧光稳定性、结合时间、溶剂p H和选择性吸附对荧光猝灭的影响。在最优条件下,得到莠去津线性范围为0.1100μmol/L,检出限为0.0012μmol/L。在3种加标浓度（0.5,5和50μmol/L）下,莠去津的回收率分别为89.4%,90.3%和95.6%,相对标准偏差分别为2.6%,3.8%和5.8%（n=5）。
雷鹏程，钟李平，李鑫浩，傅孟晗，陈立钢
东北林业大学理学院
摘 要：以莠去津为模板分子,合成了一种分子印迹荧光纳米材料,并通过荧光分光光度计（MF）、傅里叶红外变换光谱（FT-IR）、高分辨透射电子显微镜（HRTEM）对该材料进行表征。应用其对莠去津进行检测,考察荧光稳定性、结合时间、溶剂p H和选择性吸附对荧光猝灭的影响。在最优条件下,得到莠去津线性范围为0.1100μmol/L,检出限为0.0012μmol/L。在3种加标浓度（0.5,5和50μmol/L）下,莠去津的回收率分别为89.4%,90.3%和95.6%,相对标准偏差分别为2.6%,3.8%和5.8%（n=5）。
关键词：分子印迹;量子点;荧光猝灭;莠去津;
