金刚石/碳化硅复合梯度膜制备研究
来源期刊：无机材料学报2004年第1期
论文作者：石玉龙 姜辛
关键词：微波等离子体化学气相沉积; 金刚石; 复合梯度膜;
摘 要：采用微波等离子化学气相沉积(MW-PCVD)制备金刚石/碳化硅复合梯度膜.工作气体为H2,CH4和Si[CH3]4(四甲基硅烷,TMS),其中H2:CH4=100:0.6,Si[CH3]4为0%～0.05%,沉积压力为3300Pa,基体温度为700℃,微波功率为700W.基体为单晶硅,在沉积前用纳米金刚石颗粒处理.沉积后的样品经扫描电子显微镜(SEM),电子探针显微分析(EPMA),X射线能量损失分析(EDX)表明:沉积膜中的碳化硅含量是随Si[CH3]4流量的变化而改变.通过改变Si[CH3]4的流量可以制备金刚石/碳化硅复合梯度膜,且梯度膜中金刚石与复合膜过渡自然平滑.
石玉龙1，姜辛2
(1.青岛科技大学材料与环境科学学院,青岛,266042;
2.Fraunhofer Inst.for Sur.Eng.＆Thin Film,Bienroder Weg 54E,D-38108)
摘要:采用微波等离子化学气相沉积(MW-PCVD)制备金刚石/碳化硅复合梯度膜.工作气体为H2,CH4和Si[CH3]4(四甲基硅烷,TMS),其中H2:CH4=100:0.6,Si[CH3]4为0%～0.05%,沉积压力为3300Pa,基体温度为700℃,微波功率为700W.基体为单晶硅,在沉积前用纳米金刚石颗粒处理.沉积后的样品经扫描电子显微镜(SEM),电子探针显微分析(EPMA),X射线能量损失分析(EDX)表明:沉积膜中的碳化硅含量是随Si[CH3]4流量的变化而改变.通过改变Si[CH3]4的流量可以制备金刚石/碳化硅复合梯度膜,且梯度膜中金刚石与复合膜过渡自然平滑.
关键词:微波等离子体化学气相沉积; 金刚石; 复合梯度膜;
【全文内容正在添加中】
