硅单晶Czochralski法生长全局数值模拟Ⅰ.传热与流动特性

来源期刊：材料研究学报2004年第2期

论文作者：彭岚 阮登芳 吴双应 李友荣

关键词：材料科学基础学科; 全局分析; 有限元方法; 硅Cz炉;

摘    要：利用有限元方法对炉内的动量和热量传递过程进行了全局数值模拟,研究了硅单晶Czochral-ski(Cz)法生长时的总体传热和流动特性.假定熔体和气相中的流动都为准稳态轴对称层流,熔体为不可压缩流体,Cz炉外壁温度维持恒定,模拟结果表明:熔体流型及炉内传热特性与Marangoni效应密切相关,设置在晶体和坩埚间的气体导板能降低加热器的功率并改变熔体流型.