退火温度对Ge-SiO2薄膜结构的影响
来源期刊：功能材料2002年第3期
论文作者：汤乃云 诸葛兰剑 吴雪梅 姚伟国 叶春暖 俞跃辉
关键词：薄膜; 溅射; 退火温度;
摘 要：用射频磁控溅射制备了Ge-SiO2薄膜.在N2的保护下对薄膜进行了不同温度的退火处理.使用傅里叶变换红外光谱分析(FTIR)技术,X射线衍射谱(XRD),X射线光电子能谱(XPS)分析样品的微结构,研究样品在退火中发生的结构、组分的变化.结果表明退火温度对薄膜的结构,尤其是薄膜中的GeO含量和GeO晶粒的大小的影响是显著的,并对其做了详尽的分析讨论.
汤乃云1，诸葛兰剑1，吴雪梅1，姚伟国1，叶春暖1，俞跃辉2
(1.苏州大学物理系,江苏,苏州,215006;
2.中国科学院上海冶金所,上海,200050)
摘要:用射频磁控溅射制备了Ge-SiO2薄膜.在N2的保护下对薄膜进行了不同温度的退火处理.使用傅里叶变换红外光谱分析(FTIR)技术,X射线衍射谱(XRD),X射线光电子能谱(XPS)分析样品的微结构,研究样品在退火中发生的结构、组分的变化.结果表明退火温度对薄膜的结构,尤其是薄膜中的GeO含量和GeO晶粒的大小的影响是显著的,并对其做了详尽的分析讨论.
关键词:薄膜; 溅射; 退火温度;
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