不同原料合成SiC晶须的形貌结构特征和生长机理研究

来源期刊：功能材料2012年第13期

论文作者：张军战 张颖 蒋明学 刘民生

文章页码：1782 - 1785

关键词：碳热还原;SiC晶须;形貌结构;生长机理;

摘    要：分别以SiO2微粉和Si3N4为硅源,炭黑为碳源,氧化硼为催化剂,采用碳热还原法在1500℃氩气气氛下合成了SiC晶须。通过透射电镜和扫描电镜对所合成SiC晶须的形貌和晶体结构特征进行了分析。结果表明,采用两种硅源所合成的晶须均为β-SiC单晶,晶须的生长面为（111）面,生长方向为[111]方向。两种硅源所合成的晶须形貌特点存在较大差别,表明其合成SiC晶须的生长机理不同,VLS生长和螺旋位错的延伸生长可以分别用来解释以SiO2微粉为硅源和以Si3N4为硅源合成的晶须在形貌结构特征上的差别。