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新型MPCVD装置在高功率密度下高速沉积金刚石膜

来源期刊:功能材料2011年第9期

论文作者:于盛旺 李晓静 张思凯 范朋伟 黑鸿君 唐伟忠 吕反修

文章页码:1722 - 1726

关键词:新型MPCVD装置;金刚石膜;功率密度;生长速率;

摘    要:使用自行研制的新型MPCVD装置,以H2-CH4为气源,在输入功率为5kW,沉积压力分别为13.33、26.66kPa和不同的甲烷浓度下制备了金刚石膜。利用等离子体发射光谱法对等离子体中的H原子和含碳的活性基团浓度进行了分析。用扫描电镜、激光拉曼谱对金刚石膜的表面和断口形貌、金刚石膜的品质等进行了表征。实验结果表明,使用新型MPCVD装置能够在较高的功率密度下进行金刚石膜的沉积;提高功率密度能使等离子体中H原子和含碳活性基团的浓度明显增加,这将提高金刚石膜的沉积速度,并保证金刚石膜具有较高的质量。

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新型MPCVD装置在高功率密度下高速沉积金刚石膜

于盛旺,李晓静,张思凯,范朋伟,黑鸿君,唐伟忠,吕反修

北京科技大学材料科学与工程学院

摘 要:使用自行研制的新型MPCVD装置,以H2-CH4为气源,在输入功率为5kW,沉积压力分别为13.33、26.66kPa和不同的甲烷浓度下制备了金刚石膜。利用等离子体发射光谱法对等离子体中的H原子和含碳的活性基团浓度进行了分析。用扫描电镜、激光拉曼谱对金刚石膜的表面和断口形貌、金刚石膜的品质等进行了表征。实验结果表明,使用新型MPCVD装置能够在较高的功率密度下进行金刚石膜的沉积;提高功率密度能使等离子体中H原子和含碳活性基团的浓度明显增加,这将提高金刚石膜的沉积速度,并保证金刚石膜具有较高的质量。

关键词:新型MPCVD装置;金刚石膜;功率密度;生长速率;

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