941nm连续波高功率半导体激光器线阵列
来源期刊：功能材料与器件学报2004年第2期
论文作者：花吉珍 安振峰 康志龙 冯荣珠 陈国鹰 辛国锋
关键词：高功率; 金属有机化合物气相淀积; 半导体激光器阵列; 单量子阱;
摘 要：用金属有机化合物气相淀积(MOCVD)技术生长了InGaAs/GaAs/AlGaAs分别限制应变单量子阱激光器材料.利用该材料制成了半导体激光器线阵列,连续波工作条件下的中心激射波长为940.5nm,输出功率高达37.7W(45A、2.0V),斜率效率可达0.99W/A(外微分量子效率为75%),最高转换效率超过45%,阈值电流密度为117A/cm2,该波长的半导体激光器是Yb:YAG固体激光器的理想泵浦源.
花吉珍1，安振峰1，康志龙2，冯荣珠1，陈国鹰2，辛国锋2
(1.中国电子科技集团公司第十三研究所光电专业部,石家庄,河北,050051;
2.河北工业大学信息工程学院微电子所,天津,300130)
摘要:用金属有机化合物气相淀积(MOCVD)技术生长了InGaAs/GaAs/AlGaAs分别限制应变单量子阱激光器材料.利用该材料制成了半导体激光器线阵列,连续波工作条件下的中心激射波长为940.5nm,输出功率高达37.7W(45A、2.0V),斜率效率可达0.99W/A(外微分量子效率为75%),最高转换效率超过45%,阈值电流密度为117A/cm2,该波长的半导体激光器是Yb:YAG固体激光器的理想泵浦源.
关键词:高功率; 金属有机化合物气相淀积; 半导体激光器阵列; 单量子阱;
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