温度导向法制备氟化镧掺杂单晶及其电导率的测定
来源期刊：材料导报2003年第11期
论文作者：刘君安 田彦文 王常珍 韩元山 沈卫兵 翟玉春
关键词：温度导向法; 氟化镧单晶; 固体电解质;
摘 要：采用温度下降法在实验室条件下制备了氟化镧{纯LaF3及掺杂(Sm,Eu,Ga)F3、CaF2的LaF3}单晶.用交流电桥法测定了20～100℃范围内这些单晶的离子导电率,得出其离子导电率在10-6Scm-1数量级.用交流阻抗谱的方法在100～400C范围内、氩气保护下测定了氟化镧{LaF3掺杂1%(Sm,Eu,Ga)F3、2.05%CaF2}单晶及市售氟化镧{LaF3掺杂(0.2%EuF2、5%CaF2)}单晶的阻抗谱,求得单晶离子电导率皆在10-4Scm-1数量级.
刘君安1，田彦文1，王常珍1，韩元山1，沈卫兵1，翟玉春1
(1.东北大学材料与冶金学院,沈阳,110004)
摘要:采用温度下降法在实验室条件下制备了氟化镧{纯LaF3及掺杂(Sm,Eu,Ga)F3、CaF2的LaF3}单晶.用交流电桥法测定了20～100℃范围内这些单晶的离子导电率,得出其离子导电率在10-6Scm-1数量级.用交流阻抗谱的方法在100～400C范围内、氩气保护下测定了氟化镧{LaF3掺杂1%(Sm,Eu,Ga)F3、2.05%CaF2}单晶及市售氟化镧{LaF3掺杂(0.2%EuF2、5%CaF2)}单晶的阻抗谱,求得单晶离子电导率皆在10-4Scm-1数量级.
关键词:温度导向法; 氟化镧单晶; 固体电解质;
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