多组分掺杂ZnO陶瓷薄膜的射频磁控溅射法制备及表征
来源期刊:功能材料2011年第3期
论文作者:花银群 孙真真 陈瑞芳 徐瑞丽
文章页码:444 - 447
关键词:无机非金属材料;ZnO陶瓷薄膜;射频磁控溅射;溅射功率;退火温度;
摘 要:采用传统陶瓷烧结工艺,制备了直径为50mm,厚度为3mm的Bi2O3、Sb2O3、Co2O3、Cr2O3、MnO2掺杂的ZnO陶瓷靶,采用所制备的ZnO陶瓷靶和射频磁控溅射技术在Si(111)衬底上成功制备出了ZnO陶瓷薄膜,并研究了溅射功率和退火温度对ZnO陶瓷薄膜的微观结构和表面形貌的影响。结果表明:随着溅射功率的增大,ZnO陶瓷薄膜的沉积速率增大;颗粒尺寸先减小后增大。随着退火温度的升高,ZnO陶瓷薄膜的c轴取向增强;晶粒尺寸增大。溅射功率为350W,退火温度为850℃,制备出的陶瓷薄膜的相组成是ZnO主晶相、富Bi2O3相、Sb2O3相以及Zn2.33Sb0.67O4尖晶石相,得到了具有压敏电阻特性的组织结构。
花银群,孙真真,陈瑞芳,徐瑞丽
江苏大学机械工程学院
摘 要:采用传统陶瓷烧结工艺,制备了直径为50mm,厚度为3mm的Bi2O3、Sb2O3、Co2O3、Cr2O3、MnO2掺杂的ZnO陶瓷靶,采用所制备的ZnO陶瓷靶和射频磁控溅射技术在Si(111)衬底上成功制备出了ZnO陶瓷薄膜,并研究了溅射功率和退火温度对ZnO陶瓷薄膜的微观结构和表面形貌的影响。结果表明:随着溅射功率的增大,ZnO陶瓷薄膜的沉积速率增大;颗粒尺寸先减小后增大。随着退火温度的升高,ZnO陶瓷薄膜的c轴取向增强;晶粒尺寸增大。溅射功率为350W,退火温度为850℃,制备出的陶瓷薄膜的相组成是ZnO主晶相、富Bi2O3相、Sb2O3相以及Zn2.33Sb0.67O4尖晶石相,得到了具有压敏电阻特性的组织结构。
关键词:无机非金属材料;ZnO陶瓷薄膜;射频磁控溅射;溅射功率;退火温度;