烧结温度对Nb2O5掺杂TiO2靶材性能的影响
来源期刊：功能材料2017年第3期
论文作者：朱佐祥 彭伟 尚福亮 高玲 杨海涛
文章页码：3223 - 6457
关键词：靶材;掺杂;烧结温度;透明导电薄膜;
摘 要：采用真空烧结方法制备了Nb2O5∶TiO2（NTO）的陶瓷靶材,研究了在7.5%（质量分数）掺杂量下不同烧结温度对NTO陶瓷靶材的微观结构、表面形貌、电学性能、致密度和抗弯强度的影响。通过对NTO靶材的各项性能进行了表征分析表征,实验结果表明,当烧结温度在1 150℃,掺杂量在7.5%（质量分数）时,所制备的陶瓷靶材各项性能最优,其各项性能指标均表现良好,其电阻率为3.420mΩ·cm,抗弯强度为129.24 MPa,其致密度为94.30%。表明此时所制备的NTO陶瓷靶材更加适合于实际工业应用。
朱佐祥，彭伟，尚福亮，高玲，杨海涛
深圳大学深圳功能材料重点实验室深圳先进技术工程陶瓷实验室材料科学与工程学院
摘 要：采用真空烧结方法制备了Nb2O5∶TiO2（NTO）的陶瓷靶材,研究了在7.5%（质量分数）掺杂量下不同烧结温度对NTO陶瓷靶材的微观结构、表面形貌、电学性能、致密度和抗弯强度的影响。通过对NTO靶材的各项性能进行了表征分析表征,实验结果表明,当烧结温度在1 150℃,掺杂量在7.5%（质量分数）时,所制备的陶瓷靶材各项性能最优,其各项性能指标均表现良好,其电阻率为3.420mΩ·cm,抗弯强度为129.24 MPa,其致密度为94.30%。表明此时所制备的NTO陶瓷靶材更加适合于实际工业应用。
关键词：靶材;掺杂;烧结温度;透明导电薄膜;
