薄膜厚度和工作压强对室温制备AZO薄膜性能的影响
来源期刊:材料导报2011年第12期
论文作者:张俊双 叶勤 曾富强 王权康
文章页码:45 - 48
关键词:磁控溅射;AZO导电薄膜;薄膜厚度;工作压强;光电性能;
摘 要:采用射频磁控溅射法在室温下、普通玻璃基片上制备了AZO透明导电薄膜。用X射线衍射仪、原子力显微镜、紫外-可见分光光度计和四探针测量了不同薄膜厚度和不同工作压强下所得样品的结构、电学和光学性能,结果表明,所制备的AZO薄膜均具有六角纤锌矿结构,沿c轴择优取向生长;在可见光范围内,薄膜平均透过率约为80%;随着薄膜厚度的增加和工作压强的降低,薄膜的电阻率呈下降趋势;得到的薄膜最低方块电阻为7.5Ω/□。
张俊双,叶勤,曾富强,王权康
暨南大学物理系
摘 要:采用射频磁控溅射法在室温下、普通玻璃基片上制备了AZO透明导电薄膜。用X射线衍射仪、原子力显微镜、紫外-可见分光光度计和四探针测量了不同薄膜厚度和不同工作压强下所得样品的结构、电学和光学性能,结果表明,所制备的AZO薄膜均具有六角纤锌矿结构,沿c轴择优取向生长;在可见光范围内,薄膜平均透过率约为80%;随着薄膜厚度的增加和工作压强的降低,薄膜的电阻率呈下降趋势;得到的薄膜最低方块电阻为7.5Ω/□。
关键词:磁控溅射;AZO导电薄膜;薄膜厚度;工作压强;光电性能;