GaN基和LiZnAs基稀磁半导体的研究进展
来源期刊:材料导报2013年第15期
论文作者:王爱玲 毋志民 王聪 赵若禺
文章页码:113 - 118
关键词:GaN基稀磁半导体;LiZnAs基新型稀磁半导体;居里温度;晶体结构;
摘 要:综述了稀磁半导体及其研究进展,阐述了提高居里温度的方法。从晶体结构、材料的研究现状和待解决的问题几个方面详述了以GaN为代表的传统的Ⅲ-Ⅴ族基和LiZnAs为代表的新型Ⅰ-Ⅱ-Ⅴ族基两类稀磁半导体的基本特点,并展望了今后的研究重点及发展方向。
王爱玲1,2,毋志民1,2,王聪1,赵若禺1,2
1. 重庆师范大学物理与电子工程学院2. 重庆市光电功能材料重点实验室
摘 要:综述了稀磁半导体及其研究进展,阐述了提高居里温度的方法。从晶体结构、材料的研究现状和待解决的问题几个方面详述了以GaN为代表的传统的Ⅲ-Ⅴ族基和LiZnAs为代表的新型Ⅰ-Ⅱ-Ⅴ族基两类稀磁半导体的基本特点,并展望了今后的研究重点及发展方向。
关键词:GaN基稀磁半导体;LiZnAs基新型稀磁半导体;居里温度;晶体结构;