半导体异质结界面处Sb/As交换反应研究
来源期刊：稀有金属材料与工程2009年第11期
论文作者：李美成 张宝顺 赵连城 刘国军 邱永鑫 熊敏
关键词：分子束外延; 异质结; 超品格; Sb/As交换反应; MBE; heterostructures; superlattice; Sb/As exchange;
摘 要：利用分子束外延(MBE)技术,在GaAs衬底上生长了高质量的GaAs/GaAsSb超晶格,并通过高分辨X射线衍射(HRXRD)技术对Sb/As交换反应进行研究.实验表明,随着衬底温度的升高,Sb解吸附速度增加,在Sb束流作用下形成的GaAs/GaAsSb超晶格中的Sb含量下降.而Sb束流大小和暴露在Sb束流中的时间对GaAs/GaAsSb超晶格中的Sb含量影响很小.这说明Sb与GaAs中的As原子的交换反应仅发生在GaAs表层,Sb原子在GaAs中的扩散距离很短.
李美成1，张宝顺2，赵连城1，刘国军2，邱永鑫1，熊敏1
(1.哈尔滨工业大学,黑龙江,哈尔滨,150001;
2.长春理工大学,吉林,长春,130022)
摘要:利用分子束外延(MBE)技术,在GaAs衬底上生长了高质量的GaAs/GaAsSb超晶格,并通过高分辨X射线衍射(HRXRD)技术对Sb/As交换反应进行研究.实验表明,随着衬底温度的升高,Sb解吸附速度增加,在Sb束流作用下形成的GaAs/GaAsSb超晶格中的Sb含量下降.而Sb束流大小和暴露在Sb束流中的时间对GaAs/GaAsSb超晶格中的Sb含量影响很小.这说明Sb与GaAs中的As原子的交换反应仅发生在GaAs表层,Sb原子在GaAs中的扩散距离很短.
关键词:分子束外延; 异质结; 超品格; Sb/As交换反应; MBE; heterostructures; superlattice; Sb/As exchange;
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