MoO3含量对VO2薄膜电阻率变化的影响
来源期刊：功能材料2010年第S2期
论文作者：马兰 杨绍利 高仕忠
文章页码：278 - 280
关键词：VO2;薄膜;电阻率变化;杂质;
摘 要：研究了掺入MoO3时VO2薄膜电阻率的变化;建立了VO2薄膜电阻率突变数量级S随杂质含量变化的数学模型,进行了理论计算及与实测值的对比。结果表明,S随MoO3掺入量的增大而减小,采用该数学模型可以很好地预测S值的大小。
马兰1,2，杨绍利1,2，高仕忠1,2
1. 攀枝花学院生物与化学工程学院2. 四川省钒钛材料工程研究中心
摘 要：研究了掺入MoO3时VO2薄膜电阻率的变化;建立了VO2薄膜电阻率突变数量级S随杂质含量变化的数学模型,进行了理论计算及与实测值的对比。结果表明,S随MoO3掺入量的增大而减小,采用该数学模型可以很好地预测S值的大小。
关键词：VO2;薄膜;电阻率变化;杂质;
