Fe_4-xGa_xN薄膜的制备及其电导行为

来源期刊：稀有金属材料与工程2015年第5期

论文作者：孙忠巍 王群 瞿志学 汤云晖 武彤

文章页码：1285 - 1288

关键词：电子束蒸发沉积;Fe4-xGaxN;电阻率;

摘    要：利用电子束蒸发沉积的方法制备了不同Ga含量的FeGa合金薄膜,采用XRD和EDS对制得的FeGa合金薄膜的物相和成分进行了分析。合金薄膜在氨/氢比1:1的气氛中500℃下被氮化,使用XRD、SEM对氮化后薄膜的物相组成、微观形貌进行了分析,并通过Hall测试系统对氮化后薄膜的电导行为进行了分析。结果表明,氮化得到了钙钛矿结构的Fe4-xGaxN,氮化后晶粒有轻微长大,Ga元素在薄膜中分布均匀;随着Ga含量的增大,薄膜的载流子浓度和电子迁移率都呈现出降低的趋势,电阻率逐渐增大。