β-FeSi2/Si异质结的制备及性质研究
来源期刊：功能材料2012年第11期
论文作者：郑旭 张晋敏 熊锡成 张立敏 赵清壮 谢泉
文章页码：1469 - 1471
关键词：磁控溅射;β-FeSi2/Si异质结;输运性质;
摘 要：采用直流磁控溅射和真空退火方法制备β-FeSi2/Si异质结,首先在n型Si（100）衬底上沉积Fe膜,经真空退火形成β-FeSi2/Si异质结,Fe膜厚度约238nm,退火后形成的β-FeSi2薄膜厚度约为720nm。利用XRD、SEM和红外光谱仪分别研究了β-FeSi2薄膜的晶体结构、表面形貌和光学性质。霍尔效应结果表明,制备的β-FeSi2薄膜为n型导电,载流子浓度为9.51×1015cm-3,电子迁移率为380cm2/（V.s）。
郑旭，张晋敏，熊锡成，张立敏，赵清壮，谢泉
贵州大学理学院新型光电子材料与技术研究所
摘 要：采用直流磁控溅射和真空退火方法制备β-FeSi2/Si异质结,首先在n型Si（100）衬底上沉积Fe膜,经真空退火形成β-FeSi2/Si异质结,Fe膜厚度约238nm,退火后形成的β-FeSi2薄膜厚度约为720nm。利用XRD、SEM和红外光谱仪分别研究了β-FeSi2薄膜的晶体结构、表面形貌和光学性质。霍尔效应结果表明,制备的β-FeSi2薄膜为n型导电,载流子浓度为9.51×1015cm-3,电子迁移率为380cm2/（V.s）。
关键词：磁控溅射;β-FeSi2/Si异质结;输运性质;
