导电玻片上氧化亚铜膜的电沉积和表征
来源期刊：无机材料学报2005年第2期
论文作者：余颖 唐一文 贾志杰 李家麟 张丽莎 陈志钢
关键词：氧化亚铜; 电沉积; 膜; 表征;
摘 要：研究了用简单铜盐通过阴极还原氧化亚铜的电化学行为,讨论了一些工艺因素对在导电玻片上电沉积Cu2O薄膜的影响,并对所制备的Cu2O薄膜分别用台阶仪、X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)、X射线光电子能谱(XPS)进行表征.得到的较佳工艺条件为:电势-0.22～-0.45V(vs SCE),温度为60.C,pH值为5.5～6.0,(CHaCOO)2Cu浓度为0.015～0.04mol/L.表征结果发现,随池温的升高,晶粒尺寸从0.2μm增加到0.4μm,60.C沉积的Cu2O薄膜开始具有(111)面择优取向,Cu2O膜纯度高,薄膜表面呈网络多孔结构.
余颖1，唐一文1，贾志杰1，李家麟1，张丽莎1，陈志钢1
(1.华中师范大学物理科学与技术学院纳米科技研究院,武汉,430079)
摘要:研究了用简单铜盐通过阴极还原氧化亚铜的电化学行为,讨论了一些工艺因素对在导电玻片上电沉积Cu2O薄膜的影响,并对所制备的Cu2O薄膜分别用台阶仪、X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)、X射线光电子能谱(XPS)进行表征.得到的较佳工艺条件为:电势-0.22～-0.45V(vs SCE),温度为60.C,pH值为5.5～6.0,(CHaCOO)2Cu浓度为0.015～0.04mol/L.表征结果发现,随池温的升高,晶粒尺寸从0.2μm增加到0.4μm,60.C沉积的Cu2O薄膜开始具有(111)面择优取向,Cu2O膜纯度高,薄膜表面呈网络多孔结构.
关键词:氧化亚铜; 电沉积; 膜; 表征;
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