化学气相沉积工艺制备SiC涂层
来源期刊：宇航材料工艺2002年第5期
论文作者：刘荣军 周新贵 曹英斌 张长瑞
关键词：化学气相沉积; SiC涂层;
摘 要：利用化学气相沉积工艺制备了SiC涂层,对涂层进行了SEM及XRD分析.考察了温度、载气和稀释气体对涂层微观结构的影响;对不同基体进行了对照试验.在1 100℃～1 300℃沉积时,随着温度的升高,SiC涂层沉积速度加快,SiC颗粒变大,同时颗粒间的孔隙也变大,涂层的致密度降低;Ar流量相对小时,制备的涂层致密、光滑.以SiCp/SiC作基体时,涂层和基体结合得很牢固,SiC颗粒会向基体中渗透,从而增强了涂层和基体之间的结合力.
刘荣军1，周新贵1，曹英斌1，张长瑞1
(1.国防科技大学航天与材料工程学院国防科技重点实验室,长沙,410073)
摘要:利用化学气相沉积工艺制备了SiC涂层,对涂层进行了SEM及XRD分析.考察了温度、载气和稀释气体对涂层微观结构的影响;对不同基体进行了对照试验.在1 100℃～1 300℃沉积时,随着温度的升高,SiC涂层沉积速度加快,SiC颗粒变大,同时颗粒间的孔隙也变大,涂层的致密度降低;Ar流量相对小时,制备的涂层致密、光滑.以SiCp/SiC作基体时,涂层和基体结合得很牢固,SiC颗粒会向基体中渗透,从而增强了涂层和基体之间的结合力.
关键词:化学气相沉积; SiC涂层;
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