掺杂TiO2的ZnO压敏电阻正电子寿命谱研究
来源期刊：材料科学与工程学报2006年第6期
论文作者：林枞 孙丹峰 徐政 樊东辉 王亮
关键词：ZnO压敏电阻; 正电子寿命谱; 简单捕获态模型;
摘 要：利用正电子湮灭技术(PAS)和扫描电子显微镜(SEM),分析了掺杂TiO2的ZnO压敏电阻的晶界缺陷,以及不同降温速率对晶界特性的影响.实验结果表明,向样品中掺杂TiO2或者快速冷却样品,都能使得样品晶界处Zn空位团尺寸变大,浓度减小.
林枞1，孙丹峰2，徐政1，樊东辉1，王亮1
(1.同济大学材料科学与工程学院,上海,200092;
2.苏州中普电子有限公司,江苏,苏州,215011)
摘要:利用正电子湮灭技术(PAS)和扫描电子显微镜(SEM),分析了掺杂TiO2的ZnO压敏电阻的晶界缺陷,以及不同降温速率对晶界特性的影响.实验结果表明,向样品中掺杂TiO2或者快速冷却样品,都能使得样品晶界处Zn空位团尺寸变大,浓度减小.
关键词:ZnO压敏电阻; 正电子寿命谱; 简单捕获态模型;
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