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低能大流强氢离子辐照对钨的刻蚀行为

来源期刊:材料研究学报2020年第9期

论文作者:玄京凡 范红玉 白樱 胡瑞航 李昕洋 陶文辰 倪维元 牛金海

文章页码:659 - 664

关键词:金属学;多晶钨;氢离子辐照;刻蚀;

摘    要:在聚变相关的钨(W)偏滤器辐照下,研究了低能大流强氢(H)离子辐照对多晶钨材料的刻蚀行为。使用扫描电子显微镜(SEM)、导电原子力显微镜和基于SEM的电子背散射衍射等手段研究了大流强(~1022ions/m2·s)、剂量为1.0×1026ions/m2、能量为5~200 eV的氢离子辐照对多晶W材料表面刻蚀行为的影响。结果表明,随着H离子辐照能量的增加W的溅射率迅速提高,W表面发生刻蚀后产生条纹状结构,而且同一晶粒上条纹的方向具有一致性,条纹两侧的缺陷分布明显不同,意味着W表面的刻蚀优先沿某一特定晶面方向进行。

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低能大流强氢离子辐照对钨的刻蚀行为

玄京凡,范红玉,白樱,胡瑞航,李昕洋,陶文辰,倪维元,牛金海

大连民族大学辽宁省等离子技术重点实验室

摘 要:在聚变相关的钨(W)偏滤器辐照下,研究了低能大流强氢(H)离子辐照对多晶钨材料的刻蚀行为。使用扫描电子显微镜(SEM)、导电原子力显微镜和基于SEM的电子背散射衍射等手段研究了大流强(~1022ions/m2·s)、剂量为1.0×1026ions/m2、能量为5~200 eV的氢离子辐照对多晶W材料表面刻蚀行为的影响。结果表明,随着H离子辐照能量的增加W的溅射率迅速提高,W表面发生刻蚀后产生条纹状结构,而且同一晶粒上条纹的方向具有一致性,条纹两侧的缺陷分布明显不同,意味着W表面的刻蚀优先沿某一特定晶面方向进行。

关键词:金属学;多晶钨;氢离子辐照;刻蚀;

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