苯二甲酸根阴离子插层水滑石的合成及阴离子嫁接作用研究

来源期刊：湖南科技大学学报自然科学版2010年第4期

论文作者：郭军 刘宇 胡传跃 申湘忠 刘鑫

文章页码：90 - 96

关键词：苯二甲酸根阴离子;插层水滑石;合成与表征I;R光谱;嫁接作用;

摘    要：以金属硝酸盐、有机酸及碱为原料,采用原位一步合成法制备了苯二甲酸根阴离子插层水滑石有机-无机杂化材料,用XRD和IR对合成的样品进行了组成和结构的表征,用DTA结合不同温度焙烧样品的XRD和IR详细研究了插层水滑石样品的主体层板和客体阴离子之间的相互作用及阴离子嫁接作用情况.结果表明,样品的热处理过程实质上是一个促进主客体相互作用加强的过程,即客体阴离子向主体层板的嫁接过程,其直接结果是形成强的化学键（如氢键）,并导致层间距的适当压缩.通常,对嫁接温度的选择应是在样品的脱除层间水和羟基完全脱去的温度之间.