氧离子束辅助激光淀积生长ZnO/Si的XPS探究
来源期刊：材料科学与工艺2008年第2期
论文作者：邵素珍 李庚伟 吴正龙 刘志凯
关键词：ZnO/Si异质结构; 氧离子束辅助PLD; X射线光电子能谱(XPS);
摘 要：为了探究ZnO/Si内部化学成分及有关信息,用氧离子束辅助(O+-assisted)脉冲激光淀积(PLD)法在不同实验条件下生长成ZnO/Si(111)样品.利用X射线光电子能谱(XPS)对长成的ZnO/Si异质结构进行了异位测试.通过对O1s峰及其肩状结构进行拟合、分析,得到了原子数密度比n(O):n(Zn),进而探究了原子数密度比与生长质量的关系.结果表明,用氧离子束辅助PLD法,可在较低的衬底温度190℃和适当O+束流条件下,生长出正化学比接近于1,且c轴单一取向最佳的ZnO/Si薄膜.用氧离子束辅助PLD淀积法生长ZnO薄膜,可以改善缺氧状况,能提供一个富氧环境.
邵素珍1，李庚伟2，吴正龙3，刘志凯4
(1.北京市第四十七中学,北京,100090;
2.中国地质大学(北京;
3.北京师范大学,分析测试中心,北京,100875;
4.中国科学院,半导体材料科学实验室,北京,100083)
摘要:为了探究ZnO/Si内部化学成分及有关信息,用氧离子束辅助(O+-assisted)脉冲激光淀积(PLD)法在不同实验条件下生长成ZnO/Si(111)样品.利用X射线光电子能谱(XPS)对长成的ZnO/Si异质结构进行了异位测试.通过对O1s峰及其肩状结构进行拟合、分析,得到了原子数密度比n(O):n(Zn),进而探究了原子数密度比与生长质量的关系.结果表明,用氧离子束辅助PLD法,可在较低的衬底温度190℃和适当O+束流条件下,生长出正化学比接近于1,且c轴单一取向最佳的ZnO/Si薄膜.用氧离子束辅助PLD淀积法生长ZnO薄膜,可以改善缺氧状况,能提供一个富氧环境.
关键词:ZnO/Si异质结构; 氧离子束辅助PLD; X射线光电子能谱(XPS);
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