MoSi₂发热元件高温通电氧化成膜规律

江川¹，易丹青^1,2，周宏明^1,2，刘会群^1,2，朱慧娟¹

1. 中南大学材料科学与工程学院2. 中南大学有色金属材料科学与工程教育部重点实验室

摘 要：研究了MoSi2发热元件在1 400¹ 600℃,空气中氧化0.25³ h的氧化成膜规律,采用SEM和EDS测试技术分析了MoSi2发热元件通电氧化以后氧化层的组织形貌和相组成,并对其氧化膜的生长规律和抗弯强度变化原因进行了探讨。结果表明:MoSi2发热元件氧化膜生长规律符合L=0.43+5.05’107exp（-28 397.88T）t1/2关系,氧化激活能为236 kJ/mol。抗弯强度随着氧化膜的致密和增厚而提高,在1 600℃通电氧化3 h后,氧化膜生长了22.3μm,抗弯强度达到了273 MPa,比氧化前提高了51.67%。

关键词：MoSi2发热元件;通电氧化;氧化层;抗弯强度;