恒电压下百草枯和阿特拉津在纳米通道中迁移特性研究
来源期刊：分析试验室2012年第1期
论文作者：代国帅 史汶灵 黄杉生
文章页码：6 - 10
关键词：金纳米通道;电荷选择性;百草枯;阿特拉津;分离;
摘 要：采用化学沉积法将金沉积到聚碳酸酯膜内孔壁,制备了呈负电性的阵列金纳米通道。在外加恒电压作用下,阳离子型的百草枯选择性通过负电性的金纳米通道,阿特拉津为分子型化合物,不受电荷选择性和电泳作用影响,难以在金纳米通道内迁移。借此,可实现二者的分离。
代国帅，史汶灵，黄杉生
上海师范大学生命与环境科学学院
摘 要：采用化学沉积法将金沉积到聚碳酸酯膜内孔壁,制备了呈负电性的阵列金纳米通道。在外加恒电压作用下,阳离子型的百草枯选择性通过负电性的金纳米通道,阿特拉津为分子型化合物,不受电荷选择性和电泳作用影响,难以在金纳米通道内迁移。借此,可实现二者的分离。
关键词：金纳米通道;电荷选择性;百草枯;阿特拉津;分离;
