45nm PCRAM对GST CMP的挑战和解决方法
来源期刊：功能材料与器件学报2013年第4期
论文作者：Li Jiang Feng Chen PuLei Zhu Mingqi Li Hongtao Liu Guanping Wu Ming Zhong AoDong He
文章页码：183 - 185
摘 要：本文报导GST(Ge2Sb2Te5)CMP工艺的挑战和解决方法。通过适当的抛光垫选择、工艺方案和清洗步骤优化解决GST的污染问题。实现最小氧化物损失的关键因素是抛光液的稀释比例和H2O2浓度的优化和控制过抛光。微微秒激光acoustics型测量工具证明适用于GST CMP工艺的在线和离线监控。
Li Jiang1，Feng Chen1，PuLei Zhu1，Mingqi Li1，Hongtao Liu1，Guanping Wu1，Ming Zhong2，AoDong He2
1. Semiconductor Manufacturing International (Shanghai) Corp2. Shanghai Institute of Micro-system and Information Technology,Chinese Academy of Sciences
摘 要：本文报导GST(Ge2Sb2Te5)CMP工艺的挑战和解决方法。通过适当的抛光垫选择、工艺方案和清洗步骤优化解决GST的污染问题。实现最小氧化物损失的关键因素是抛光液的稀释比例和H2O2浓度的优化和控制过抛光。微微秒激光acoustics型测量工具证明适用于GST CMP工艺的在线和离线监控。
关键词：
