多晶硅栅耗尽导致的SRAM单比特位失效分析
来源期刊：功能材料与器件学报2008年第5期
论文作者：王俊 莘海维 浦晓栋 李睿 马惠平 孔蔚然 王庆东
关键词：静态随机存储器; 单比特位失效; 多晶硅栅耗尽; SRAM; single bit failure; poly depletion;
摘 要：本文分析了一种静态随机存储器单比特位失效的机理.通过纳米探针测量,发现该比特位写操作失败是由负责存取的N型晶体管的驱动力较弱导致.TEM分析显示该晶体管的多晶硅栅中晶粒尺寸较大,这有可能导致栅的功函数变化以及靠近栅介质层区域的掺杂较轻.我们用SPICE模拟证实了晶体管驱动力变弱的原因是局域的多晶栅耗尽.
王俊1，莘海维4，浦晓栋4，李睿1，马惠平4，孔蔚然4，王庆东4
(1.中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海200050;
2.中国科学院研究生院,北京100049;
3.宏力半导体制造有限公司,上海201203;
4.宏力半导体制造有限公司,上海,201203)
摘要:本文分析了一种静态随机存储器单比特位失效的机理.通过纳米探针测量,发现该比特位写操作失败是由负责存取的N型晶体管的驱动力较弱导致.TEM分析显示该晶体管的多晶硅栅中晶粒尺寸较大,这有可能导致栅的功函数变化以及靠近栅介质层区域的掺杂较轻.我们用SPICE模拟证实了晶体管驱动力变弱的原因是局域的多晶栅耗尽.
关键词:静态随机存储器; 单比特位失效; 多晶硅栅耗尽; SRAM; single bit failure; poly depletion;
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