半导体硅及硅基材料研究中的几个问题
来源期刊：上海金属2008年第5期
论文作者：屠海令
关键词：大直径硅单晶; 硅基材料; 缺陷; 杂质;
摘 要：叙述了大直径硅单晶生长,计算机数值模拟以及绝缘体上硅(SOI)、锗硅(SiGe)和应变硅等硅基材料的研究进展,讨论了硅中缺陷演化、杂质特性、缺陷工程和表面与界面质量控制,展望了后摩尔时代半导体硅及硅基材料的发展前景.
屠海令1
(1.北京有色金屑研究总院半导体材料国家工程研究中心,北京,100088)
摘要:叙述了大直径硅单晶生长,计算机数值模拟以及绝缘体上硅(SOI)、锗硅(SiGe)和应变硅等硅基材料的研究进展,讨论了硅中缺陷演化、杂质特性、缺陷工程和表面与界面质量控制,展望了后摩尔时代半导体硅及硅基材料的发展前景.
关键词:大直径硅单晶; 硅基材料; 缺陷; 杂质;
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