碳化硅晶须与微颗粒制备及性能研究
来源期刊：矿冶2006年第3期
论文作者：华小虎 曾志飞 薛征峰 王晓刚 彭龙贵
关键词：碳化硅; 制备方法; 无限微热源法; 性能;
摘 要：目前生产SiCw(碳化硅晶须)和SiCP(碳化硅颗粒)的方法主要有气相反应法和固体材料法两大类.气相反应法中应用最为普遍的是气相沉积法(CVD法);固体材料法生产SiCw主要有气(V)-液(L)-固(S)反应法(简称VLS法)和气(V)-固(S)反应法(简称VS法).固体材料法生产出的碳化硅产品尤其是SiCw,主要用作高强度、高硬度结构材料的增强、增韧.使用SiCw与SiCp增韧、增强的材料,可广泛用于航空航天、军事和民用等众多工业领域.本文采用VLS法,在无限微热源炉中成功合成了碳化硅晶须,运用SEM,XRD,Zeta等分析测试技术对SiCw的形态、显微结构和Zeta电位等性能进行了研究.
华小虎1，曾志飞2，薛征峰1，王晓刚1，彭龙贵1
(1.西安科技大学材料科学与工程系,陕西,西安,710054;
2.长沙矿冶研究总院,湖南,长沙,410012)
摘要:目前生产SiCw(碳化硅晶须)和SiCP(碳化硅颗粒)的方法主要有气相反应法和固体材料法两大类.气相反应法中应用最为普遍的是气相沉积法(CVD法);固体材料法生产SiCw主要有气(V)-液(L)-固(S)反应法(简称VLS法)和气(V)-固(S)反应法(简称VS法).固体材料法生产出的碳化硅产品尤其是SiCw,主要用作高强度、高硬度结构材料的增强、增韧.使用SiCw与SiCp增韧、增强的材料,可广泛用于航空航天、军事和民用等众多工业领域.本文采用VLS法,在无限微热源炉中成功合成了碳化硅晶须,运用SEM,XRD,Zeta等分析测试技术对SiCw的形态、显微结构和Zeta电位等性能进行了研究.
关键词:碳化硅; 制备方法; 无限微热源法; 性能;
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