高压、快速开关GaN功率晶体管的技术途径
来源期刊：功能材料与器件学报2013年第6期
论文作者：J.Würfl O.Hilt E.Bahat-Treidel R.Zhytnytska K.Klein P.Kotara F.Brunner A.Knauer O.Krüger M.Weyers G.Trnkle
文章页码：289 - 294
摘 要：本文主要讨论用于功率电子电路中的快速开关GaN器件的技术途径。首先,概述对于在SiC和Si衬底上生长的器件,用于提高击穿电压的最先进技术。然后将这些技术与不同偏压下的动态开关特性联系起来。动态开关特性仍然落后于类似的竞争器件,尤其是如果考虑高偏压的开关特性时。开关特性一般用所谓的动态导通电阻表示。它与一些工艺参数的关系极大,这些参数如外延层的设计、缓冲层晶体品质、钝化层,最后,但并不是不重要的是横向器件设计(如场电极的布置)。说明了所有这些影响因素之间的平衡,及其与GaN高压开关器件现状的关系。
J.Würfl，O.Hilt，E.Bahat-Treidel，R.Zhytnytska，K.Klein，P.Kotara，F.Brunner，A.Knauer，O.Krüger，M.Weyers，G.Trnkle
摘 要：本文主要讨论用于功率电子电路中的快速开关GaN器件的技术途径。首先,概述对于在SiC和Si衬底上生长的器件,用于提高击穿电压的最先进技术。然后将这些技术与不同偏压下的动态开关特性联系起来。动态开关特性仍然落后于类似的竞争器件,尤其是如果考虑高偏压的开关特性时。开关特性一般用所谓的动态导通电阻表示。它与一些工艺参数的关系极大,这些参数如外延层的设计、缓冲层晶体品质、钝化层,最后,但并不是不重要的是横向器件设计(如场电极的布置)。说明了所有这些影响因素之间的平衡,及其与GaN高压开关器件现状的关系。
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