GaN基器件中的欧姆接触
来源期刊:材料导报2003年第3期
论文作者:邵庆辉 叶志镇 黄靖云
关键词:氮化镓; 欧姆接触; 接触电阻率;
摘 要:GaN材料以其优良的光电性质,已成为制造发光器件和高温大功率器件的最有前途的材料.欧姆接触是制备GaN基器件的关键技术之一.着重论述了在n-GaN和p-GaN上制备欧姆接触的研究现状.
邵庆辉1,叶志镇1,黄靖云1
(1.浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027)
摘要:GaN材料以其优良的光电性质,已成为制造发光器件和高温大功率器件的最有前途的材料.欧姆接触是制备GaN基器件的关键技术之一.着重论述了在n-GaN和p-GaN上制备欧姆接触的研究现状.
关键词:氮化镓; 欧姆接触; 接触电阻率;
【全文内容正在添加中】