简介概要

GaN基器件中的欧姆接触

来源期刊：材料导报2003年第3期

论文作者：邵庆辉叶志镇黄靖云

关键词：氮化镓; 欧姆接触; 接触电阻率;

摘要：GaN材料以其优良的光电性质,已成为制造发光器件和高温大功率器件的最有前途的材料.欧姆接触是制备GaN基器件的关键技术之一.着重论述了在n-GaN和p-GaN上制备欧姆接触的研究现状.

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邵庆辉¹，叶志镇¹，黄靖云¹

(1.浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027)

摘要:GaN材料以其优良的光电性质,已成为制造发光器件和高温大功率器件的最有前途的材料.欧姆接触是制备GaN基器件的关键技术之一.着重论述了在n-GaN和p-GaN上制备欧姆接触的研究现状.

关键词:氮化镓; 欧姆接触; 接触电阻率;

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