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氯化物前驱体提拉制备ITO薄膜

来源期刊:有色金属2009年第4期

论文作者:郝雷 张金伟 张鲁玉 刁训刚 马荣

关键词:关键词; 无机非金属材料; ITO膜; 溶胶凝胶; 提拉法; 透明; 导电;

摘    要:以InCl3·4H2O和SnCl4·5H2O为原料制备溶胶前驱体,采用浸渍提拉法在SiO2玻璃表面制备透明带电的ITO薄膜.采用方块电阻测量仪、紫外/可见光分光光度计、扫描电子显微镜、X射线衍射仪等分析薄膜的物相结构、微观组织、导电性能及光谱特性.结果表明,薄膜的方块电阻与Sn掺杂量、提拉次数及热处理温度均有关.得到的最佳参数为Sn掺杂量10%(摩尔比)、5次提拉并干燥、500℃热处理1 h(炉外空冷).制得的最佳ITO薄膜方阻为240Ω/□,可见光平均透过率大于90%.

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氯化物前驱体提拉制备ITO薄膜

郝雷1,张金伟1,张鲁玉1,刁训刚1,马荣1

(1.北京航空航天大学,材料物理与化学研究中心,北京,100083)

摘要:以InCl3·4H2O和SnCl4·5H2O为原料制备溶胶前驱体,采用浸渍提拉法在SiO2玻璃表面制备透明带电的ITO薄膜.采用方块电阻测量仪、紫外/可见光分光光度计、扫描电子显微镜、X射线衍射仪等分析薄膜的物相结构、微观组织、导电性能及光谱特性.结果表明,薄膜的方块电阻与Sn掺杂量、提拉次数及热处理温度均有关.得到的最佳参数为Sn掺杂量10%(摩尔比)、5次提拉并干燥、500℃热处理1 h(炉外空冷).制得的最佳ITO薄膜方阻为240Ω/□,可见光平均透过率大于90%.

关键词:关键词; 无机非金属材料; ITO膜; 溶胶凝胶; 提拉法; 透明; 导电;

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