高体积分数SiC_p/Al复合材料表面粉化的原因
来源期刊：机械工程材料2016年第2期
论文作者：武晓丹 方敬忠 刘红 吴海鹰
文章页码：33 - 36
关键词：高体积分数SiCp/Al复合材料;硅含量;粉化;
摘 要：在850℃下,分别用纯铝熔体或硅质量分数为5%,12.5%,20%的铝硅合金熔体浸渗反应烧结碳化硅（RBSiC）坯体,获得硅含量不同的高体积分数SiCp/Al复合材料;该复合材料在空气中长时间放置后表面粉化,采用扫描电镜、X射线衍射仪、X射线能谱仪等分析了复合材料及其粉化后粉末的组织形貌及成分,并分析其粉化原因。结果表明:在空气中静置两个月后,硅含量低的复合材料（原料中硅质量分数为0,5%）表面形成大量粉末,硅含量高的复合材料表面则不会粉化,粉末主要为棒状和片状Al（OH）3;复合材料制备过程中由于硅含量不足产生了碳化铝,碳化铝在空气中水解导致粉化。
武晓丹，方敬忠，刘红，吴海鹰
中国科学院光电技术研究所
摘 要：在850℃下,分别用纯铝熔体或硅质量分数为5%,12.5%,20%的铝硅合金熔体浸渗反应烧结碳化硅（RBSiC）坯体,获得硅含量不同的高体积分数SiCp/Al复合材料;该复合材料在空气中长时间放置后表面粉化,采用扫描电镜、X射线衍射仪、X射线能谱仪等分析了复合材料及其粉化后粉末的组织形貌及成分,并分析其粉化原因。结果表明:在空气中静置两个月后,硅含量低的复合材料（原料中硅质量分数为0,5%）表面形成大量粉末,硅含量高的复合材料表面则不会粉化,粉末主要为棒状和片状Al（OH）3;复合材料制备过程中由于硅含量不足产生了碳化铝,碳化铝在空气中水解导致粉化。
关键词：高体积分数SiCp/Al复合材料;硅含量;粉化;
