温度对直流反应磁控溅射制备TiO2薄膜光学性质的影响
来源期刊：材料科学与工程学报2005年第3期
论文作者：沈辉 王贺权 汪保卫 巴德纯 闻立时
关键词：二氧化钛薄膜; 直流反应磁控溅射; 温度; 反射率;
摘 要：应用DC(直流)反应磁控溅射设备在硅基底上制备TiO2薄膜,在固定的电源功率下,氩气流量为42.6sccm,氧流量为15sccm,溅射时间为30分钟的条件下,通过控制温度改变TiO2薄膜的光学性质.应用n&k Analyzer 1200测量,当温度增加时薄膜的平均反射率降低同时反射低谷向长波方向移动；温度对消光系数k影响不大；当温度低于180℃薄膜的折射率变化不大,当温度达到240℃左右时薄膜的折射率明显降低.通过XRD和SEM表征发现,随着温度的增加TiO2的晶体结构由混晶变为单一的锐钛矿相,薄膜表面的颗粒由多变少,表面形貌由粗糙多孔变得细腻平滑.
沈辉1，王贺权2，汪保卫4，巴德纯2，闻立时5
(1.中山大学,广东,广州,510275;
2.东北大学,辽宁,沈阳,110004;
3.沈阳农业大学,辽宁,沈阳,110161;
4.中国科学院广州能源研究所,广东,广州,510070;
5.中国科学院金属研究所,辽宁,沈阳,110016)
摘要:应用DC(直流)反应磁控溅射设备在硅基底上制备TiO2薄膜,在固定的电源功率下,氩气流量为42.6sccm,氧流量为15sccm,溅射时间为30分钟的条件下,通过控制温度改变TiO2薄膜的光学性质.应用n&k Analyzer 1200测量,当温度增加时薄膜的平均反射率降低同时反射低谷向长波方向移动；温度对消光系数k影响不大；当温度低于180℃薄膜的折射率变化不大,当温度达到240℃左右时薄膜的折射率明显降低.通过XRD和SEM表征发现,随着温度的增加TiO2的晶体结构由混晶变为单一的锐钛矿相,薄膜表面的颗粒由多变少,表面形貌由粗糙多孔变得细腻平滑.
关键词:二氧化钛薄膜; 直流反应磁控溅射; 温度; 反射率;
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