InGaAsSb多量子阱材料的光致发光特性研究
来源期刊：功能材料与器件学报2005年第2期
论文作者：张永刚 李爱珍 郑燕兰 唐田
关键词：InGaAsSb; 分子束外延; 多量子阱; 光致发光;
摘 要：研究了InGaAsSb多量子阱材料光致发光特性.通过实验数据分析和理论计算,发现对于分子束外延(MBE)法生长的InGaAsSb多量子阱材料,生长时的衬底温度决定着材料的质量,合适的衬底温度可以明显的增加其发射的光致发光强度;组分相同时,在一定范围内,随着阱厚的增加,其发射的光致发光波长也随着增加,但是随着阱厚增大,波长增加趋于平缓.
张永刚1，李爱珍1，郑燕兰1，唐田1
(1.中国科学院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海,200050;
2.中国科学院研究生院,北京,100039)
摘要:研究了InGaAsSb多量子阱材料光致发光特性.通过实验数据分析和理论计算,发现对于分子束外延(MBE)法生长的InGaAsSb多量子阱材料,生长时的衬底温度决定着材料的质量,合适的衬底温度可以明显的增加其发射的光致发光强度;组分相同时,在一定范围内,随着阱厚的增加,其发射的光致发光波长也随着增加,但是随着阱厚增大,波长增加趋于平缓.
关键词:InGaAsSb; 分子束外延; 多量子阱; 光致发光;
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