薄膜厚度对HfO2薄膜残余应力的影响

范正修¹，邵淑英¹，贺洪波¹，申雁鸣¹，邵建达¹

(1.中国科学院上海光学精密机械研究所,上海,201800;
2.中国科学院研究生院,北京,100039)

摘要:HfO2薄膜是用电子束蒸发方法制备的,利用ZYGO干涉仪测量了基片镀膜前后曲率半径的变化,计算了薄膜应力.对样品进行了XRD测试,讨论了膜厚对薄膜残余应力的影响.结果发现不同厚度HfO2薄膜的残余应力均为张应力,应力值随薄膜厚度的增加而减小,当薄膜厚度达到一定值后,应力值趋于稳定.从微观结构变化对实验结果进行了分析,发现微结构演变引起的本征应力变化是引起薄膜残余应力改变的主要因素.

关键词:HfO2薄膜; 残余应力; 膜厚; 电子束蒸发;

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